MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

PartNumber: MJE3055TG
Ном. номер: 8000016959
Производитель: ON Semiconductor
MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27.80 руб.
Доступно на заказ 450 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 250 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
81 руб. 2625 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 73 руб.
от 100 шт. — 47 руб.
470 руб. 695 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 20 шт. — 80 руб.
68 руб. 400 шт. 3-4 недели 50 шт. 50 шт.
от 100 шт. — 46.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
2 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Максимальное напряжение коллектор-база
70 В
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.