SI2367DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R

PartNumber: SI2367DS-T1-GE3
Ном. номер: 8000017067
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI2367DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI2367DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
10.10 руб.
Доступно на заказ 6000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 6000 шт. — 10 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
39 руб. 5350 шт. 2-3 недели 50 шт. 50 шт.
от 300 шт. — 26 руб.
от 600 шт. — 21 руб.
42 руб. 1975 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 31 руб.
от 25 шт. — 30.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
40 нс
Максимальный непрерывный ток стока
2,2 А
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236)
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
1.02мм
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 8 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
561 пФ при -10 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Дополнительная информация

Datasheet SI2367DS-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.