FQP7P06, Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

PartNumber: FQP7P06
Ном. номер: 8000017254
Производитель: ON Semiconductor
FQP7P06, Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36.80 руб.
Доступно на заказ 17150 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 650 шт. — 36.50 руб.
от 1300 шт. — 35.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
94 руб. 2975 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 65 руб.
85 руб. 844 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 74.60 руб.
от 100 шт. — 60.60 руб.
78 руб. 130 шт. 2-3 недели 5 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 48 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.1мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
7.5 ns
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Серия
QFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.7мм
Высота
9.4мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
410 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Размеры
10.1 x 4.7 x 9.4мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6.3 nC @ 10 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
225 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.