Мой регион: Россия

2SC5707-TL-E, Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R

Ном. номер: 8000022595
PartNumber: 2SC5707-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
2SC5707-TL-E, Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19.30 руб.
700 шт.,
срок 4-6 недель
Кратность заказа 700 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
98 руб. 1-2 недели, 135 шт. 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 33 руб.
61 руб. 2-3 недели, 94 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
240 mV
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Длина
6.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Тип корпуса
TP-FA
Максимальное рассеяние мощности
15 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
5.5мм
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Тип транзистора
NPN
Высота
2.3мм
Число контактов
4
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
6.5 x 5.5 x 2.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.