BC857BTT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

PartNumber: BC857BTT1G
Ном. номер: 8000022671
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 BC857BTT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC857BTT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
1 руб.
Доступно на заказ 117000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 48000 шт. — 0.97 руб.
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
5 руб. 25500 шт. 2-3 недели 250 шт. 250 шт.
от 2500 шт. — 3 руб.
от 5000 шт. — 2.10 руб.
12 руб. 36865 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 10.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Small Signal PNP Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0.9 V
Длина
1.65мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-416 (SC-75)
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Ширина
0.9мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
0.9мм
Число контактов
3
Размеры
1.65 x 0.9 x 0.9мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220

Дополнительная информация

Datasheet BC857BTT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.