IPD15N06S2L64ATMA2, Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: IPD15N06S2L64ATMA2
Ном. номер: 8000022680
Производитель: Infineon Technologies
IPD15N06S2L64ATMA2, Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23.10 руб.
Доступно на заказ 5000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 22.90 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
61 руб. 265 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 35 руб.
54 руб. 1335 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 46.70 руб.
от 25 шт. — 46.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive T/R

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Technology
OptiMOS
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
55
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
19
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
64@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
11@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
11
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
354@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
47000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tape and Reel
Typical Turn-On Delay Time (ns)
4
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
21
Typical Fall Time (ns)
12
Typical Rise Time (ns)
14
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1

Дополнительная информация

Datasheet IPD15N06S2L64ATMA2

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.