MJE253G, Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

PartNumber: MJE253G
Ном. номер: 8000022740
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJE253G, Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJE253G, Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
14.80 руб.
Доступно на заказ 1500 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
40 руб. 143 шт. 5 дней 1 шт. 11 шт.
от 58 шт. — 23 руб.
от 116 шт. — 20 руб.
40 руб. 4167 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 34.90 руб.
от 100 шт. — 24.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
10 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,8 В
Длина
7.74мм
Transistor Configuration
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-225
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.66мм
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Тип транзистора
PNP
Высота
11.04мм
Число контактов
3
Размеры
7.74 x 2.66 x 11.04мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15

Техническая документация

MJE253-D
pdf, 147 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJE253G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.