2N4923G, Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

PartNumber: 2N4923G
Ном. номер: 8000038829
Производитель: ON Semiconductor
2N4923G, Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16.70 руб.
Доступно на заказ 2000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 1500 шт. — 16.50 руб.
Кратность заказа 500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
46 руб. 2502 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 40.10 руб.
от 100 шт. — 27.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.6 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
3 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.3 V
Длина
7.74мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
TO-225
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.66мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN
Высота
11.04мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
11.04 x 7.74 x 2.66мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.