IRLZ44ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

PartNumber: IRLZ44ZSTRLPBF
Ном. номер: 8000039107
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLZ44ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLZ44ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/RФото 3/3 IRLZ44ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
35 руб.
Доступно на заказ 6400 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 1600 шт. — 34.70 руб.
от 3200 шт. — 33.80 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
110 руб. 470 шт. 3 дня 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 42 руб.
66 руб. 490 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
25 ns
Максимальный непрерывный ток стока
51 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
11.3мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
27S
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
4.83мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 11.3 x 4.83мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1620 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Прямое напряжение диода
1.3V

Дополнительная информация

Datasheet IRLZ44ZSTRLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.