NDS0610, Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R

PartNumber: NDS0610
Ном. номер: 8000052059
Производитель: ON Semiconductor
NDS0610, Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2.50 руб.
Доступно на заказ 3000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
8 руб. 5091 шт. 5 дней 1 шт. 59 шт.
от 281 шт. — 4 руб.
от 561 шт. — 3 руб.
27 руб. 33765 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 25 руб.
от 100 шт. — 11 руб.
23 руб. 3240 шт. 2-3 недели 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Высота
0.93мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
2,5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
10 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
79 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.