FQD7N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: FQD7N10LTM
Ном. номер: 8000052281
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FQD7N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FQD7N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
13.80 руб.
Доступно на заказ 27500 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 13.70 руб.
от 10000 шт. — 13.30 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
60 руб. 305 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
60 руб. 1478 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 50.60 руб.
от 25 шт. — 50.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FQD7N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 4.6nC Typical low gate charge
• 12pF Typical low Crss

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
2.3мм
Размеры
6.6 x 6.1 x 2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4,6 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
220 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet FQD7N10LTM

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.