FQD7N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: FQD7N10LTM
Ном. номер: 8000052281
Производитель: ON Semiconductor
FQD7N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14.90 руб.
17500 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 5000 шт. — 14.70 руб.
от 10000 шт. — 14.30 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
100 руб. 110 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 56 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
2.3мм
Размеры
6.6 x 6.1 x 2.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4,6 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
220 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.