SI5468DC-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R

PartNumber: SI5468DC-T1-GE3
Ном. номер: 8000052430
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI5468DC-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI5468DC-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
16.80 руб.
Доступно на заказ 3000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
51 руб. 2047 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 34.10 руб.
от 25 шт. — 30.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
15 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
15 ns
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Тип корпуса
1206 ChipFET
Максимальное рассеяние мощности
5,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.7мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.1мм
Максимальное сопротивление сток-исток
34 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Размеры
3.1 x 1.7 x 1.1мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
435 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.