FQB6N80TM, Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

PartNumber: FQB6N80TM
Ном. номер: 8000052813
Производитель: ON Semiconductor
FQB6N80TM, Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62.50 руб.
Доступно на заказ 22400 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 1600 шт. — 61.90 руб.
от 3200 шт. — 60.30 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
180 руб. 425 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 130 руб.
от 100 шт. — 103 руб.
200 руб. 27 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 139 руб.
183 руб. 730 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.<BR/>They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
65 нс
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.95 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
31 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1150 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.