BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R

PartNumber: BC846BM3T5G
Ном. номер: 8000052819
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/RФото 3/3 BC846BM3T5G, Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
1.60 руб.
Доступно на заказ 24000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 8000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
21 руб. 8135 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 7 руб.
от 250 шт. — 6.40 руб.
17.80 руб. 2517 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 16.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-723 T/R

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
1.25мм
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
SOT-723
Максимальное рассеяние мощности
265 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Ширина
0.85мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN-НР
Высота
0.55мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200

Дополнительная информация

Datasheet BC846BM3T5G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.