STS6NF20V, Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R

PartNumber: STS6NF20V
Ном. номер: 8000060980
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STS6NF20V, Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STS6NF20V, Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R
20.80 руб.
Доступно на заказ 2500 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
93 руб. 4885 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 74 руб.
от 100 шт. — 57 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The STS6NF20V is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

• Ultra low threshold gate drive
• Standard outline for easy automated surface-mount assembly

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.25мм
Размеры
5 x 4 x 1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
27 нс
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
460 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V

Дополнительная информация

Datasheet STS6NF20V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.