IXFN82N60P, Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B

PartNumber: IXFN82N60P
Ном. номер: 8000085664
Производитель: Ixys
Фото 1/2 IXFN82N60P, Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IXFN82N60P, Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
1 923 руб.
Доступно на заказ 100 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 20 шт. — 1 906 руб.
от 40 шт. — 1 855 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
3 340 руб. 195 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 2 590 руб.
от 20 шт. — 2 430 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
38.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
28 ns
Производитель
IXYS
Типичное время задержки выключения
79 нс
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Тип корпуса
SOT-227B
Максимальное рассеяние мощности
1,04 кВт
Серия
HiperFET, Polar
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
25.07мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
9.6мм
Максимальное сопротивление сток-исток
75 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
4
Размеры
38.2 x 25.07 x 9.6мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
240 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
23000 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.