DTC123JET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R

PartNumber: DTC123JET1G
Ном. номер: 8000086104
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 DTC123JET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 DTC123JET1G, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
1.20 руб.
Доступно на заказ 6000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
4 руб. 10750 шт. 2-3 недели 250 шт. 500 шт.
от 750 шт. — 3.20 руб.
15 руб. 20390 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 14 руб.
от 100 шт. — 4.90 руб.
12.40 руб. 3495 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 11.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Digital BJT
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
0.047
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.65мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Тип корпуса
SOT-416 (SC-75)
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
0.9мм
Тип транзистора
NPN-НР
Высота
0.8мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Размеры
1.65 x 0.9 x 0.8мм
Типичный входной резистор
2,2 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
<gteq/>80

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.