Мой регион: Россия

IRFP4710PBF

Ном. номер: 8000091324
PartNumber: IRFP4710PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFP4710PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFP4710PBFФото 3/3 IRFP4710PBF
150 руб.
159 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
от 14 шт. — 130 руб.
от 25 шт. — 112 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
137 руб. 3-4 недели, 75 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-247AC, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 72 А, 190Вт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
35 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
14 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRFP4710 Datasheet
pdf, 103 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.