MJD340T4G, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: MJD340T4G
Ном. номер: 8000120971
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJD340T4G, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJD340T4G, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
14.50 руб.
Доступно на заказ 5000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 14.30 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
54 руб. 1820 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 51 руб.
от 100 шт. — 30 руб.
44 руб. 470 шт. 2-3 недели 10 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
High Voltage Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.22мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
2.38мм
Число контактов
3
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30

Дополнительная информация

Datasheet MJD340T4G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.