FQB34N20LTM, Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

PartNumber: FQB34N20LTM
Ном. номер: 8000121315
Производитель: ON Semiconductor
FQB34N20LTM, Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
70.50 руб.
Доступно на заказ 17600 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 1600 шт. — 69.80 руб.
от 3200 шт. — 68 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
200 руб. 60 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 140 руб.
213 руб. 72 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 182 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
170 нс
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Серия
QFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
55 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3000 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.