IPN60R2K1CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

PartNumber: IPN60R2K1CEATMA1
Ном. номер: 8000121479
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IPN60R2K1CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IPN60R2K1CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
13.60 руб.
Доступно на заказ 18000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 6000 шт. — 13.50 руб.
от 12000 шт. — 13.10 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
43 руб. 2810 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 41 руб.
от 100 шт. — 23 руб.
36 руб. 1052 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 31.30 руб.
от 25 шт. — 31.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
30 ns
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
5 W
Серия
CoolMOS CE
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
3.7мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Высота
1.7мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.1 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 V
Число контактов
3+Tab
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6,7 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
140 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Прямое напряжение диода
0.9V

Дополнительная информация

Datasheet IPN60R2K1CEATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.