NTMS4816NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

PartNumber: NTMS4816NR2G
Ном. номер: 8000121684
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTMS4816NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTMS4816NR2G, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
21.20 руб.
Доступно на заказ 5000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 21 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
67 руб. 2480 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 62 руб.
от 100 шт. — 46 руб.
56 руб. 410 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 46.60 руб.
от 25 шт. — 42 руб.
42 руб. 2150 шт. 2-3 недели 10 шт. 20 шт.
от 50 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
21,6 нс
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,04 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
1.5мм
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1060 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.