SI4214DDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

PartNumber: SI4214DDY-T1-GE3
Ном. номер: 8000121804
Производитель: Vishay
Фото 1/3 SI4214DDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SI4214DDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/RФото 3/3 SI4214DDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
19.10 руб.
Доступно на заказ 27500 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 18.90 руб.
от 10000 шт. — 18.40 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
63 руб. 2525 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 58 руб.
от 100 шт. — 44 руб.
23 руб. 2500 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
18 ns
Максимальный непрерывный ток стока
7.5 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
19,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14,5 нКл при 10 В, 7,1 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V

Дополнительная информация

Datasheet SI4214DDY-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.