NJD35N04G, Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

PartNumber: NJD35N04G
Ном. номер: 8000146326
Производитель: ON Semiconductor
NJD35N04G, Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36.40 руб.
Доступно на заказ 1200 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 675 шт. — 36.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 225 шт.
Кратность заказа 75 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
80 руб. 1480 шт. 5 дней 1 шт. 6 шт.
от 31 шт. — 47 руб.
от 75 шт. — 41 руб.
83 руб. 210 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 74 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
700 V
Максимальный запирающий ток коллектора
250мкА
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
350 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
45 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.22мм
Тип транзистора
NPN-НР
Высота
2.38мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.