FQD1N60CTM, Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: FQD1N60CTM
Ном. номер: 8000146422
Производитель: ON Semiconductor
FQD1N60CTM, Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20.50 руб.
Доступно на заказ 15000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 20.30 руб.
от 10000 шт. — 19.70 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
60 руб. 500 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 35 руб.
63 руб. 3240 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 52.10 руб.
от 25 шт. — 51.30 руб.
50 руб. 95 шт. 2-3 недели 5 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.<BR/>They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
2.3мм
Размеры
6.6 x 6.1 x 2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
13 ns
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
11,5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4,8 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
130 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.