TSM2NB60CH C5G, Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

PartNumber: TSM2NB60CH C5G
Ном. номер: 8000165496
Производитель: Taiwan Semiconductor
26.80 руб.
5625 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 3750 шт. — 26.50 руб.
Кратность заказа 1875 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
79 руб. 3750 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 66.40 руб.
от 25 шт. — 55 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4.5
Maximum Continuous Drain Current (A)
2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
4400@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
9.4@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
9.4
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
249@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
44000
Typical Fall Time (ns)
12.4
Typical Rise Time (ns)
9.8
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
17.4
Typical Turn-On Delay Time (ns)
9.1
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-251
Standard Package Name
TO-251
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
5.7(Max)
Package Length
6.7(Max)
Package Width
2.5(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet TSM2NB60CH C5G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.