IRLR8726TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

PartNumber: IRLR8726TRPBF
Ном. номер: 8000179595
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRLR8726TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRLR8726TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RФото 3/3 IRLR8726TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
13.70 руб.
Доступно на заказ 6000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 4000 шт. — 13.60 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
45 руб. 1830 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 24 руб.
15 руб. 4000 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
86 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
7.49мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
73s
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 7.49 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
15 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Максимальное сопротивление сток-исток
8 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2150 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Дополнительная информация

Datasheet IRLR8726TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.