D44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

PartNumber: D44H11G
Ном. номер: 8000179756
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 D44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 D44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
29.80 руб.
Доступно на заказ 500 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
79 руб. 2355 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 71 руб.
от 100 шт. — 54 руб.
76 руб. 302 шт. 3-4 недели 1 шт. 2 шт.
от 50 шт. — 66 руб.
от 100 шт. — 52.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
50 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.5 V
Длина
10.28мм
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
2 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40мс

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.