NTB5605PT4G, Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

PartNumber: NTB5605PT4G
Ном. номер: 8000179850
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTB5605PT4G, Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTB5605PT4G, Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
42 руб.
Доступно на заказ 1600 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 1600 шт. — 41.60 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
110 руб. 240 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 76 руб.
113 руб. 939 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 97.50 руб.
от 25 шт. — 97.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET P-CH 60V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.29мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12,5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
29 нс
Максимальный непрерывный ток стока
18,5 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
88 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
9.65мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.83мм
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Размеры
10.29 x 9.65 x 4.83мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
730 пФ при -25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.