Мой регион: Россия

BC807-16LT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Ном. номер: 8000179950
PartNumber: BC807-16LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 BC807-16LT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC807-16LT1G, Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
1.10 руб.
45000 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 4 дня, 3823 шт. 1 шт. 171 шт.
от 607 шт. — 2 руб.
от 1213 шт. — 1.40 руб.
15 руб. 2-3 недели, 6432 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 13 руб.
от 100 шт. — 4.50 руб.
12.60 руб. 3-4 недели, 5932 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 4.40 руб.
9 руб. 1-2 недели, 1700 шт. 25 шт. 25 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The BC807-16LT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
PNP
Высота
0.94мм
Число контактов
3
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100

Дополнительная информация

Datasheet BC807-16LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.