FQT7N10LTF, Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

PartNumber: FQT7N10LTF
Ном. номер: 8000180036
Производитель: ON Semiconductor
FQT7N10LTF, Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11.80 руб.
Доступно на заказ 100000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 8000 шт. — 11.70 руб.
от 16000 шт. — 11.40 руб.
Кратность заказа 4000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
52 руб. 12970 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 29 руб.
от 250 шт. — 28 руб.
48 руб. 24527 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 39.70 руб.
от 25 шт. — 39.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.<BR/>They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1.7 A
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.56мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.56 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4,6 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
220 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.