STGWA30M65DF2, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

PartNumber: STGWA30M65DF2
Ном. номер: 8000216430
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGWA30M65DF2, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STGWA30M65DF2, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
165 руб.
Доступно на заказ 570 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 150 шт. — 163 руб.
от 300 шт. — 159 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 30 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
400 руб. 559 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 314 руб.
от 100 шт. — 299 руб.
377 руб. 600 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 290 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
258 Вт
Energy Rating
2.03mJ
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.1мм
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
15.9 x 5.1 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Емкость затвора
2490пФ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.