DMN2022UFDF-7, Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R

PartNumber: DMN2022UFDF-7
Ном. номер: 8000216814
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 DMN2022UFDF-7, Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 DMN2022UFDF-7, Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
7.60 руб.
Доступно на заказ 9000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 6000 шт. — 7.50 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
26 руб. 3650 шт. 2-3 недели 50 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 18 руб.
от 1250 шт. — 15 руб.
43 руб. 2049 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 31.90 руб.
от 25 шт. — 28.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
9,4 А
Тип корпуса
U-DFN2020
Максимальное рассеяние мощности
2,03 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.05мм
Высота
0.58мм
Размеры
2.05 x 2.05 x 0.58мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.05мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
56 нс
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
632 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
50 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 8 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
907 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.