Мой регион: Россия

IRFP250NPBF, MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247AC

Ном. номер: 8000221232
Производитель: Infineon Technologies
IRFP250NPBF, MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247AC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
550 шт. со склада г.Москва,
срок 1-2 недели
от 125 шт. — 140 руб.
от 500 шт. — 117 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 4 750 руб.
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
214 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.3мм
Высота
20.3мм
Размеры
15.9 x 5.3 x 20.3мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
41 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
200 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
123 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2159 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.