FDV304P, Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R

PartNumber: FDV304P
Ном. номер: 8000231827
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDV304P, Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 FDV304P, Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/RФото 3/3 FDV304P, Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
1.90 руб.
Доступно на заказ 345000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
4 руб. 6861 шт. Со склада 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
• Drain to source voltage (Vds) of -25V
• Gate to source voltage of -8V
• Continuous drain current (Id) of -460mA
• Power dissipation (pd) of 350mW
• Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
• Operating temperature range -55°C to 150°C

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
55 нс
Максимальный непрерывный ток стока
460 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
350 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Высота
0.93мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Максимальное сопротивление сток-исток
1.1 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Число контактов
3
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
1,1 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
63 пФ при 10 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 V

Техническая документация

FDV304P
pdf, 165 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDV304P

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.