KSD2012GTU, Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

PartNumber: KSD2012GTU
Ном. номер: 8000260918
Производитель: ON Semiconductor
KSD2012GTU, Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27.80 руб.
Доступно на заказ 1000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 1000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
80 руб. 1060 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 72 руб.
от 100 шт. — 46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.16мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220F
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.54мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
15.87мм
Число контактов
3
Размеры
10.16 x 2.54 x 15.87мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.