Мой регион: Россия

AUIRFR024N, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Ном. номер: 8000268174
PartNumber: AUIRFR024N
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 AUIRFR024N, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 AUIRFR024N, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
64.30 руб.
2325 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 375 шт. — 63.70 руб.
от 750 шт. — 62 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 75 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 2-3 недели, 7956 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 141 руб.
от 100 шт. — 101 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 474 руб./мес
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4,9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
19 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
370 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

auirfr024n
pdf, 379 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.