IKW50N60DTPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

PartNumber: IKW50N60DTPXKSA1
Ном. номер: 8000268236
Производитель: Infineon Technologies
IKW50N60DTPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
Доступно на заказ 240 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 240 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
550 руб. 380 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 422 руб.
от 100 шт. — 365 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Chip
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A Tube

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Channel Type
N
Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage (V)
600
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Collector Current (A)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
333000
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.85
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Packaging
Tube
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.