SIA447DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70

PartNumber: SIA447DJ-T1-GE3
Ном. номер: 8000268259
Производитель: Vishay
Фото 1/3 SIA447DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 SIA447DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70Фото 3/3 SIA447DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70
14.60 руб.
Доступно на заказ 3000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
Кратность заказа 3000 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
44 руб. 5955 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 35 руб.
от 100 шт. — 29 руб.
37 руб. 6834 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 30 руб.
от 25 шт. — 29.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
65 нс
Максимальный непрерывный ток стока
12 А
Тип корпуса
PowerPAK SC-70
Максимальное рассеяние мощности
19 W
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.7мм
Высота
0.8мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
71 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Число контактов
6
Размеры
1.7 x 1.7 x 0.8мм
Типичный заряд затвора при Vgs
52 nC @ 8 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2880 пФ при -6 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Дополнительная информация

Datasheet SIA447DJ-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.