Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF520NSTRLPBF, Транзистор MOSFET N-канал ...

IRF520NSTRLPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.7А [D2-PАK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 15 шт. — 116 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 9000293637

Артикул: IRF520NSTRLPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

MOSFET, N-CH, 100V, 9.7A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.2 Ом/5.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	48
Крутизна характеристики, S	2.7
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	4