MJ802G, Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

PartNumber: MJ802G
Ном. номер: 8000280715
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJ802G, Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJ802G, Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
186 руб.
Доступно на заказ 900 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 200 шт. — 184 руб.
от 400 шт. — 179 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
340 руб. 11 шт. 5 дней 1 шт. 2 шт.
от 8 шт. — 220 руб.
410 руб. 514 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 303 руб.
от 100 шт. — 290 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.8 V
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.3 V
Длина
39.37мм
Максимальное напряжение коллектор-база
110 В перем. тока
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
90 В
Тип корпуса
TO-204AA
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
26.67мм
Максимальный пост. ток коллектора
30 A
Тип транзистора
NPN-НР
Высота
8.51мм
Число контактов
2
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
4 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.