IXXK110N65B4H1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

PartNumber: IXXK110N65B4H1
Ном. номер: 8000351811
Производитель: Ixys
IXXK110N65B4H1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
693 руб.
Доступно на заказ 125 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 50 шт. — 687 руб.
от 100 шт. — 668 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
1 300 руб. 76 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 1 000 руб.
от 5 шт. — 832 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Discretes, IXYS

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
20.29мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
IXYS
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
570 А
Тип корпуса
TO-264
Максимальное рассеяние мощности
880 Вт
Energy Rating
3mJ
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.31мм
Number of Transistors
1
Высота
26.59мм
Число контактов
3
Размеры
20.29 x 5.31 x 26.59мм
Скорость переключения
10 → 30кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.