MMIX1T600N04T2, Trans MOSFET N-CH 40V 600A 21-Pin

PartNumber: MMIX1T600N04T2
Ном. номер: 8000351976
Производитель: Ixys
MMIX1T600N04T2, Trans MOSFET N-CH 40V 600A 21-Pin
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 732 руб.
Доступно на заказ 60 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 40 шт. — 1 716 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
2 820 руб. 32 шт. 2-3 недели 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 2 180 руб.
от 10 шт. — 2 020 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
25.25мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
40 ns
Производитель
IXYS
Типичное время задержки выключения
90 нс
Максимальный непрерывный ток стока
600 А
Тип корпуса
SMPD
Максимальное рассеяние мощности
830 Вт
Серия
GigaMOS, HiperFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
23.25мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
150с
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Высота
5.7мм
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
24
Размеры
25.25 x 23.25 x 5.7мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
590 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
40000 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.