DMN6070SSD-13, Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R

PartNumber: DMN6070SSD-13
Ном. номер: 8000352243
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 DMN6070SSD-13, Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 DMN6070SSD-13, Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R
12.70 руб.
Доступно на заказ 5000 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
3-4 недели
от 5000 шт. — 12.50 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
53 руб. 220 шт. 2-3 недели 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 30 руб.
от 200 шт. — 27 руб.
50 руб. 2400 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 41 руб.
от 25 шт. — 40.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A Automotive 8-Pin SO T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Длина
4.95мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
3,5 нс
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
35 нс
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.95мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
1.5мм
Максимальное сопротивление сток-исток
100 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
-60 В
Число контактов
8
Размеры
4.95 x 3.95 x 1.5мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12,3 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
588 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.