Мой регион: Россия

IRF640NPBF, MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220AB

Ном. номер: 8000503720
Производитель: Infineon Technologies
IRF640NPBF, MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
1450 шт. со склада г.Москва,
срок 1-2 недели
от 250 шт. — 57 руб.
от 1000 шт. — 40 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 4 100 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.