IRF530NPBF, MOSFET N-Channel 100V 17A

Ном. номер: 8000503722
Производитель: International Rectifier
IRF530NPBF, MOSFET N-Channel 100V 17A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
68 руб.
700 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 250 шт. — 47 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 3 400 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9.2 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
35 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
920 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.