Мой регион: Россия

IRFU9024NPBF, MOSFET P-CHANNEL 55V 11A IPAK

Ном. номер: 8000503733
Производитель: Infineon Technologies
IRFU9024NPBF, MOSFET P-CHANNEL 55V 11A IPAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 руб.
1575 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 375 шт. — 44 руб.
от 1500 шт. — 31 руб.
Кратность заказа 75 шт.
Добавить в корзину 75 шт. на сумму 4 575 руб.
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
38 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.39мм
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
175 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
19 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
350 pF @ 25 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.