Мой регион: Россия

IRF5305PBF, MOSFET P-CHANNEL 55V 31A TO220AB

Ном. номер: 8000503736
Производитель: Infineon Technologies
IRF5305PBF, MOSFET P-CHANNEL 55V 31A TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
88 руб.
650 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 250 шт. — 62 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 4 400 руб.
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
39 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1200 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.