Мой регион: Россия

BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Ном. номер: 8000606992
PartNumber: BC848ALT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC848ALT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
1.10 руб.
21000 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3 руб. 5 дней, 12308 шт. 1 шт. 265 шт.
от 564 шт. — 2 руб.
от 1128 шт. — 1.60 руб.
9.80 руб. 3-4 недели, 33372 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 8.80 руб.
11 руб. 2-3 недели, 12050 шт. 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 3.80 руб.
2 руб. 2-3 недели, 18200 шт. 200 шт. 200 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 324 руб./мес
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V dc
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
2.64мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
1.11мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
3.04 x 2.64 x 1.11мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110

Дополнительная информация

Datasheet BC848ALT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.