Мой регион: Россия

IRF7103PBF, MOSFET DUAL N-CHANNEL 50V 3A SOIC8

Ном. номер: 8000648974
Производитель: International Rectifier
IRF7103PBF, MOSFET DUAL N-CHANNEL 50V 3A SOIC8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
42 руб.
2090 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 190 шт. — 35 руб.
от 380 шт. — 30 руб.
Кратность заказа 95 шт.
Добавить в корзину 95 шт. на сумму 3 990 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
130 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
50 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
290 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.